1. tujuan (kembali)
- mengetahui apa itu transisi dan difusi
- mengetahui apa itu bias maju dan bias difusi
- mengetahui rumus kapasitansi kapasitor pada plat sejajar
2. alat dan bahan (kembali)
alat
- buku Electronic Devices And Circuit Theory
(Gambar 1. buku Elektronika)
sebagai sumber bacaan dan sumber blog
sebagai sumber bacaan dan sumber blog
- article terkait
(Gambar 2. google scholar)
bahan
- video from yt
(Gambar 3. Yt)
3. dasar teori (kembali)
1.10 Diode
TRANSISI DAN DIFUSI KAPASITANSI
perangkat elektronik pada dasarnya sensitif terhadap frekuensi yang sangat tinggi. efek pasif shunt dapat diabaikan pada frekuensi rendah karena reaktansi XC = 1/2 fC sangat besar( ekuivalen rangkaian terbuka). namun, ini tidak dapat diabaikan pada pada frekuensi yang sangat tinggi. XC akan menjadi cukup kecil karena tingginya nilai f yang memperkenalkan reaktansi rendah "korslet". dalam diode semikonduktor p-n ada dua efek kapasitif yang harus dipertimbangkan. kedua jenis kapasitansi ada diwilayah bias maju dan bias balik, tetapi satu lebih besar daripada yang lain.
pada wilayah bias balik memiliki transisi atau daerah penipisan kapasitansi(Ct), sedangkan di wilayah bias maju memiliki difusi (Cp) atau kapasitansi penyimpanan
Persamaan dasar pada kapasitansi kapasitor plat paralel (sejajar) ditentukan oleh;
C= ﻉA/d, dimana;
ﻉ adalah permitivitas dielektrik (isolator) diantara plat A yang dipisahkan jarak d, di wilayah bias balik ada daerah penipisan ( free of carriers) yang pada dasarnya berperilaku seperti isolator diantara lapisan muatan yang berlawan. karena lebar penipisan(d) akan meningkat dengan peningkatan potensial bias balik, kapasitansi transisi yang dihasilkan akan berkurang.
(Gambar 4. grafik)
gambar 4 menunjukkan fakta bahwa kapasitansi bergantung pada potensial bias balik yang diterapkandi sejumlah sistem elektronikefek yang dijelaskan di atas ada di wilayah bias maju, itu dibayangi oleh efek kapasitansi yang secara langsung bergantung pada laju di muatan yang disuntikkan ke wilayah di luar wilayah penipisan. Hasil
adalah bahwa peningkatan level arus akan menghasilkan peningkatan level kapasitansi difusi. Namun, peningkatan level arus mengakibatkan berkurangnya level resistansi terkait (akan didemonstrasikan segera), dan konstanta waktu yang dihasilkan (RC), yang mana
sangat penting dalam aplikasi berkecepatan tinggi, tidak menjadi berlebihan
Efek kapasitif dijelaskan oleh kapasitor secara paralel dengan diode ideal, seperti pada Gambar. 7 Untuk aplikasi frekuensi rendah atau menengah (kecuali di area daya), bagaimanapun, kapasitor biasanya tidak termasuk dalam
simbol diode.
4. percobaan (kembali)
a) prosedur percobaan
1. baca buku
2. tandai bagian yang penting seperti rumus dan pengertian
3. catat dan masukkan ke dalam blog
4. buat sebagus mungking
b) prinsip kerja
tegangan akan mengalir dari baterai diode dan kapasitor dan kemudian ke ground
5. video (kembali)
6. link download (kembali)
a. download datasheet
Download C945 Datasheet sini Download Buzzer Datasheet sini Download Resistor Datasheet sini Download Relay Datasheet sini Download diode Datasheet sini
b. download rangkaian
c. download library proteus
Chemistry ebook>>Here
video>>Here
Tidak ada komentar:
Posting Komentar